Konsorcjum w składzie:

Krzysztof Górecki, Janusz Zarębski, Paweł Górecki

Istota wynalazku:

Wynalazek umożliwia wyznaczenie wartości parametru nazywanego rezystancją termiczną powszechnie stosowanego półprzewodnikowego elementu przełączającego - tranzystora IGBT przy jego typowych warunkach pracy. Wykorzystując zmierzoną wartość rezystancji termicznej można wyznaczyć temperaturę wnętrza rozważanego elementu półprzewodnikowego, decydującą o niezawodności tego elementu oraz układu, w którym ten element pracuje. Wartość rezystancji termicznej również może być wykorzystywana do oceny jakości montażu elementów układu chłodzącego rozważany element półprzewodnikowy.
Istotną zaletą wynalazku jest możliwość zmierzenia rezystancji termicznej przy wykorzystaniu prostych pomiarów wielkości elektrycznych - napięć i prądów zaciskowych rozważanego elementu półprzewodnikowego w określonych punktach pomiarowych oraz odpowiednich obliczeń matematycznych w oparciu o opracowane przez autorów wzorów.
Wynalazek był przedmiotem zgłoszenia patentowego nr P403813, a obecnie jest chroniony patentem nr 224783 udzielonym przez Urząd Patentowy RP w dniu 2016-07-04.

Potencjał komercjalizacyjny wynalazku:

Wynalazek może być zastosowany w przemyśle elektronicznym przy optymalizacji systemu chłodzenia tranzystorów IGBT wykorzystywanych w układach impulsowego przetwarzania energii elektrycznej. Wynalazek może być również wykorzystany przez konstruktorów elektronicznej aparatury pomiarowej dedykowanej do pomiaru parametrów cieplnych półprzewodnikowych przyrządów mocy.